stm32flash学习总结

xiaoxiao2021-02-28  61

(1)Flash的简介

         不同型号的 STM32,其 FLASH 容量也有所不同,最小的只有 16K 字节,最大的则达到了1024K 字节。

 STM32F103ZET6 的 FLASH 容量为 512K 字节,属于大容量产品。

     STM32 的闪存模块由:主存储器、信息块和闪存存储器接口寄存器等 3 部分组成。 

尤其是闪存存储器接口寄存器有以下特性:闪存存储器接口寄存器,该部分用于控制闪存读写等,是整个闪存模块的控制机构。 对主存储器和信息块的写入由内嵌的闪存编程/擦除控制器(FPEC)管理;编程与擦除的高电压由内部产生。

 在执行闪存写操作时,任何对闪存的读操作都会锁住总线,在写操作完成后读操作才能正确地进行;既在进行写或擦除操作时,不能进行代码或数据的读取操作。

(2)stm32闪存编程过程如下图

从上图可以得到闪存的编程顺序如下:   检查 FLASH_CR 的 LOCK 是否解锁,如果没有则先解锁   检查 FLASH_SR 寄存器的 BSY 位,以确认没有其他正在进行的编程操作   设置 FLASH_CR 寄存器的 PG 位为’1’   在指定的地址写入要编程的半字   等待 BSY 位变为’0’   读出写入的地址并验证数据 前面提到,我们在 STM32 的 FLASH 编程的时候,要先判断缩写地址是否被擦除了,所以, 我们有必要再介绍一下 STM32 的闪存擦除,STM32 的闪存擦除分为两种:页擦除和整片擦除。

(3)stm32页擦除如下图

从上图可以看出,STM32 的页擦除顺序为:

  检查 FLASH_CR 的 LOCK 是否解锁,如果没有则先解锁   检查 FLASH_SR 寄存器的 BSY 位,以确认没有其他正在进行的闪存操作   设置 FLASH_CR 寄存器的 PER 位为’1’   用 FLASH_AR 寄存器选择要擦除的页   设置 FLASH_CR 寄存器的 STRT 位为’1’   等待 BSY 位变为’0’   读出被擦除的页并做验证

(4)下面就是操作Flash的一个重要的函数了:

 #if STM32_FLASH_SIZE<256 #define STM_SECTOR_SIZE 1024   #else  #define STM_SECTOR_SIZE 2048 #endif   u16 STMFLASH_BUF[STM_SECTOR_SIZE/2];  void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite) { u32 secpos;      u16 secoff;      u16 secremain;     u16 i;     u32 offaddr;    if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||(WriteAddr>=(STM32_FLASH_BASE+1024*STM32_FLASH_SIZE)))return;  FLASH_Unlock();   offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE;   secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE;   secoff=(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2;   secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff;   if(NumToWrite<=secremain)secremain=NumToWrite;  while(1)  { STMFLASH_Read(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);  for(i=0;i<secremain;i++)  { if(STMFLASH_BUF[secoff+i]!=0XFFFF)break;  } if(i<secremain)  { FLASH_ErasePage(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);  for(i=0;i<secremain;i++)  { STMFLASH_BUF[i+secoff]=pBuffer[i];   } STMFLASH_Write_NoCheck(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);  }else STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);      if(NumToWrite==secremain)break;  else//дÈëδ½áÊø { secpos++;   secoff=0;      pBuffer+=secremain;     WriteAddr+=secremain;     NumToWrite-=secremain;   if(NumToWrite>(STM_SECTOR_SIZE/2))secremain=STM_SECTOR_SIZE/2;   else secremain=NumToWrite;  }   }; FLASH_Lock();  } #endif

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