电源控制和备份区域

xiaoxiao2021-02-28  10

一、电源供给 电源供给方案 V DD = 2.0~3.6V:外部电源为I/O和内部电压调节器提供电源。 V DDA = 2.0~3.6V:外部模拟电源为ADC、复位模块、RC电路和PLL提供电源。     >>只有当V DDA >= 2.4V时,ADC才能工作;     >>只有当 V DDA   >= 2.7V时,USB才能工作。 VBAT = 1.8~3.6V:     >>当VDD 断电时,VBAT 为备份区域提供电源。 电源引脚的连接:     >>VDD 和VDDA 必须连接到同一个电源;     >>VSS 、VSSA VREF-  必须连接到地线;     >>2.4V <= VREF+  <= VDDA      >>VREF+  和VREF-  仅在LQFP100封装上有,在其他封装上他们连接到内部对应的VDDA 和VSSA 。 上电复位(POR)/掉电复位(PDR) 内部包含有一个综合了POR/PDR电路,这保证当电源不处于产品正常运行的电压范围(2V~3.6V)时,该电路将产生一个适当的复位。 无需外部复位电路 在POR和PDR之间有40mV滞后。 可编程电压检测器(PVD) 通过设置PWR_CR的PVDE位来使能; 使用PWR_CR中的PLS[2:0]位来设定监控电压的门限,通过与设定门限电压比较来监控 VDD   电源; 门限值:2.2V~2.9V,步进值:0.1V; VDD   降到门限电压以下、或上电时 VDD   上升到门限电压(PWR_CSR的PVD0位表明该状态),与此信号向量的外部中断线16(如果开启)将产生中断。 >>可以用于长生警告信息、和/或将MCU运行安全状态。 备份区域 备份区域包含: RTC(计数器、分频器和报警机制) 用于RTC的独立的32KHz的振荡器(LSE) 10个16位的用户被封寄存器 RCC的BDSR寄存器:RTC时钟源的选择和使能+LSE设置 >>只有备份区域的复位信号才能复位该区域。 VBAT 独立供电 当系统VDD 低于PDR电压时,将自动切换到VBAT ; 当时用VDD 时,VBAT 上无电流损失。 防入侵检测:复位所有用户的备份寄存器 可设置级别:低/高 可设置产生中断 低功耗模式 STM32F10x低功耗模式:使用CortexM3的睡眠模式。 睡眠、停止和待机模式 在停止和待机模式下,复位电路、POR/PDR处于激活状态。  睡眠、停止和待机模式 在停止和待机模式下,复位电路、POR/PDR处于激活状态。 由于存在静态功耗(如电压调节器、振荡器、 Flash),在低频率下mA/MHz有点偏高。 代码在SRAM里执行时的功耗比在Flash里低。 低功耗模式 --- 睡眠模式 内核停止、外设继续运行。 通过执行特殊的指令(WFI/WFE)进入该模式; Cortex-M3控制寄存器的中SLEEPONEXIT位决定进入该模式的机制: Sleep-Now(SLEEPONEXIT为0):当执行WFI/WFE指令时,MCU立即进 入睡眠模式。 Sleep-on-Exit(SLEEPONEXIT为1):当从优先级最低的中断向量里 退出时,MCU进入睡眠模式。 退出睡眠模式: WFI(等待中断) 任意可被可嵌套向量的中断控制器(NVIC)确认的外设中断。 W FE(等待事件) 在事件模式下,一个在外设控制寄存器中可设置为中断使能的 事件,但是不未在NVIC中使能,或设为事件模式的外部中断线 的事件。 无时间损失在进入/退出上。 为了降低功耗,用户可在进入睡眠 模式前关闭不工作的外设时钟。 低功耗模式 --- 停止模式 在以下条件下执行WFI或WFE指令进入停止模式: 1. 设置Cortex-M3系统控制寄存器中的SLEEPDEEP位; 2. 清除电源控制寄存器(PWR_CR)中的PDDS位; 3. 通过设置PWR_CR中LPDS位选择电压调节器的模式。 所有外设时钟、PLL、HSI和HSE都被关闭,保留SRAM和寄存器内的内容。 如果RTC和IWDG正在运行,进入停止模式时该外设不会停止(包括时钟)。 可将电压调节器设置为低功耗模式,以降低功耗; 退出停止模式: 以 W FI指令进入时:任意设置为 中断模式的外部中断线(相应的中断须在 NVIC中使能) W FE指令进入时:任意设置为 事件模式的外部中断线; 从停止模式恢复后,时钟的配置返回到复位时的状态(系统时钟为HSI)。 低功耗模式 --- 待机模式 在以下条件下执行WFI指令: 1. 设置Cortex-M3系统控制寄存器中的SLEEPDEEP位; 2. 设置电源控制寄存器(PWR_CR)中的PDDS位; 3. 清除电源控制/状态寄存器(PWR_CSR)中的WUF位。 电压调节器关闭、整个1.8v区域断电。除了备份区域和待机电路 的寄存器以外,SRAM和寄存器的内容全部丢失; 在待机模式下,RTC和IWDG(如果开启)继续运行; 除了以下情况,待机模式下所有IO口处于高阻状态: 复位引脚(始终有效); 防侵入引脚(若被置为检测侵入或校准); 唤醒引脚,如果使能。 唤醒源: 唤醒引脚的上升沿 RTC警告 复位引脚外部复位信号 IWDG复位 <script>window._bd_share_config={"common":{"bdSnsKey":{},"bdText":"","bdMini":"2","bdMiniList":false,"bdPic":"","bdStyle":"0","bdSize":"16"},"share":{}};with(document)0[(getElementsByTagName('head')[0]||body).appendChild(createElement('script')).src='http://bdimg.share.baidu.com/static/api/js/share.js?v=89860593.js?cdnversion='+~(-new Date()/36e5)];</script> 阅读(70) | 评论(0) | 转发(0) | 0

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